汽车ECU开发专题二:NXP KEA系列之二

承接上一篇，还有些比较重要的问题没有谈到，这里还要论述说明一下。

不可屏蔽中断NMI

不可屏蔽中断，是ARM Cortex-M0+内核的基本配置。

ARMv6-M 异常模型和可嵌套向量的中断控制器(NVIC)集成可重定位的向量表，支持许多外部中断、一个非屏蔽中断(NMI)和优先级。如果相应引脚选择NMI功能，那么将NMI信号驱动至低电平会强制生成非屏蔽中断。为避免这种情况出现，因此在设计电路的时候，尽量不要将NMI引脚拉低。

上电复位POR

当MCU 初次上电或电源电压下降到低于上电复位电压电平(VPOR)时，POR 电路将触发芯片POR 复位功能。随着供电电压升高，LVD 电路将 MCU 保持在复位状态，直到电源超过 LVD 最低阈值 (VLVDL)。系统复位状态、ID 寄存器 (SIM_SRSID) 的POR 、LVD 字段（SIM_SRSID[POR]和SIM_SRSID[LVD]），在POR 之后都将置位。这种设计，增加了系统的安全性。一定程度上，避免了电源电压抖动或者电源馈电所带来的安全隐患。

低压检测LVD

器件集成了一个可以检测低压条件的系统，以便在电源电压发生变化期间，保护存储器内容和控制MCU系统状态。该系统由上电复位(POR)电路和LVD 电路组成，LVD 具有用户可选的触发电压，可以是高电平(VLVDH)或低电平(VLVDL)。PMC_SPMSC1[LVDE]置位，并且PMC_SPMSC2[LVDV]选定触发电压后，LVD 电路将被使能。除非PMC_SPMSC1[LVDSE]置位或处于串行线调试(SWD)模式，否则LVD 一进入Stop 模式就会被禁用。若PMC_SPMSC1[LVDSE]和PMC_SPMSC1[LVDE]均置位，在LVD 使能的情况下，Stop 模式下的电流消耗将更高。

Stop 模式下，关掉LVD电路大约可以节省100多个微安电流，这在某些对静态电流要求比较苛刻的系统中还很实用的。

Flash 加密

Flash 模块，根据特殊寄存器FTMRE_FSEC[SEC ]的配置状态，为MCU 提供加密信息。如果MCU确认有加密请求，那么将限制对Flash资源的访问。

在未加密状态中，编程接口支持来自调试端口(SWD)或用户执行代码的所有Flash命令。

当Flash 受加密保护时（FTMRE_FSEC[SEC ] = 00、01 或11），仅允许编程器接口执行批量擦除操作。此外，在该模式下，调试端口无法访问存储器位置。这在一定程度上保护了软件代码的安全。