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三极管也称双极型晶体管、晶体三极管,是一种控制电流的半导体器件。其作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号,也用作无触点开关。三极管是半导体基本元器件之一,具有电流放大作用,是电子电路的核心元件。
三极管只有两种类型,即PNP型和NPN型。判别时只要知道基极是P型还N型即可。当用多用电表R×1k挡时,黑表笔代表电源正极,如果黑表笔接基极时导通,则说明三极管的基极为P型,三极管即为NPN型。如果红表笔接基极导通,则说明三极管基极为N型,三极管即为PNP型。
选用三极管的六个技巧:
1、正向特性
在二极管两端的正向电压很小时,管子不导通处于“死区”状态,当正向电压起过一定数值后,管子才导通,电压再稍微增大,电流急剧暗加。
2、反向特性
二极管两端加上反向电压时,反向电流很小,当反向电压逐渐增加时,反向电流基本保持不变,这时的电流称为反向饱和电流。
3、击穿特性
当反向电压增加到某一数值时,反向电流急剧增大,这种现象称为反向击穿。这时的反向电压称为反向击穿电压,不同结构、工艺和材料制成的管子,其反向击穿电压值差异很大,可由1伏到几百伏,甚至高达数千伏。
4、频率特性
由于结电容的存在,当频率高到某一程度时,容抗小到使PN结短路。导致二极管失去单向导电性,不能工作,PN结面积越大,结电容也越大,越不能在高频情况下工作。
5、系统散热
须考虑二种不一样的情况,即最坏情况和具体情况。提议选用针对最坏情况的计算结果,由于这一结论提供更大的安全余量,能确保系统不易失灵。在场效应晶体管的材料表上还有一些必须留意的测量数据;电子元件的结温相当于最大环境温度再加热阻与功率耗散的乘积(结温=最大环境温度+[热阻×功率耗散])。依据这个式子可解出系统的最大功率损耗,即按定义相当于I2×RDS(ON)。我们已即将通过电子元件的最大电流,能够估算出不同溫度下的RDS(ON)。此外,也要搞好电路板以及场效应晶体管的散热。雪崩击穿指的是半导体器件上的反向电压超出最高值,并产生强电场使电子元件内电流增加。晶片尺寸的增加会增强抗雪崩能力,最后提高电子元件的稳健性。因而挑选更大的封裝件能够有效避免雪崩。
6、开关性能
影响开关性能的叁数有好多,但最关键的是栅极/漏极、栅极/源极及漏极/源极电容。这些电容会在电子元件中产生开关损耗,因为在每一次开关时都要对它们充电。场效应晶体管的开关速度因而被减少,电子元件效率也降低。为计算开关过程中电子元件的总耗损,要计算开通过程中的耗损(Eon)和关闭过程中的耗损(Eoff)。场效应晶体管开关的总功率可用如下方程表达:Psw=(Eon+Eoff)×开关频率。而栅极电荷(Qgd)对开关性能的影响最大。
必须了解晶体管的类型和材料,常用的有NPN和PNP两种,这两种管工作时对电压的极性要求不同,所以是这两种晶体管是不能互相替换的。三极管额材料有锗材料和硅材料,它们之前最大的差异就是其实电压不一样。在放大电路中,假如使用同类型的锗管代替同类型的硅管,反之替换,一般都是可以的,但都要在基极偏置电压上进行必要的调整。因为他们的起始电压不一样,但是在脉冲电路和开关电路中不同材料的三极管是否能互换必须进行具体的分析,切不可盲目代换。
选取场效应管只要三步,一是选择须合适的勾道(N沟道还是P沟道),二是确定场效应管的额定电流,选好额定电流以后,还需计算导通损耗,三是确定热要求,设计人员在设计时必须考虑到最坏和真实两种情况。一般建议采用针对最坏的结果计算,因为这个结果提供更大的安全余量,能够确保系统不会失效。
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