二极管为什么有管压降（二极管为什么压降大的先导通）

二极管的管压降（或称“正向压降”）是指在二极管正向导通时，二极管两端的电压差。它的形成主要与二极管的工作原理有关。

二极管是由半导体材料（通常是硅或锗）制成的，其结构包括P型和N型半导体区域。在P-N结（即二极管的核心区域），当二极管正向偏置时，P型区的空穴和N型区的电子会相遇并重新结合，形成一个称为“耗尽区”的区域。

为了使电流通过二极管，需要克服这个耗尽区的能量障碍，即必须提供足够的能量来推动电子穿越这个耗尽区。这个过程需要一定的电压来突破结区的势垒，这个电压就叫做正向压降。

• 硅二极管的正向压降通常在 0.6V 到 0.7V 之间。
• 锗二极管的正向压降较低，通常在 0.2V 到 0.3V 之间。

当电流通过二极管时，由于电子与空穴的复合，部分能量转化为热量，因此并不是所有输入的电能都转化为电流流动所需的能量，剩余部分就表现为这个压降。正向压降随电流增加而增大，但通常在某一范围内保持相对稳定。

总结来说，二极管的管压降是由于P-N结的能量障碍所引起的，需要克服这一障碍才能使电流通过二极管。